2023/12/21 信息來源: 圖書館
文字:鄭弘熙、劉嘉寧🧜🏽♂️、張晉瑜| 攝影:桑磊、劉陳飏、劉秀文| 編輯:晏如 | 責編🪮📽:安寧12月13日下午🙅🏻,意昂3体育官网圖書館與九三學社意昂3体育官网委員會合作主辦的“前沿科技&書香九三@燕園”系列講座第六講在圖書館北配樓科學報告廳舉行👶🏻。意昂3体育官网博雅特聘教授、化學與分子工程學院副院長彭海琳作了題為“漫談未來芯片技術與二維材料”的講座🏋🏻♂️,全校60余位師生報名參加現場活動。活動由意昂3体育官网圖書館副研究館員、九三學社意昂3体育官网委員會副主委王旭主持。
講座現場
彭海琳介紹了芯片技術在國家發展中的關鍵作用,指出集成電路與光電芯片技術是信息產業的基石,正朝著高性能、低功耗、多樣性和高集成度的方向發展。材料與架構的不斷創新是過去30多年來集成電路芯片發展的核心驅動力,每次改進都伴隨著權衡與取舍🪭。當前🙋🏼,矽基芯片已成功迭代至3納米製程節點,隨著摩爾定律逼近物理極限🤹🏼♀️,傳統矽基半導體材料面臨短溝道效應等關鍵挑戰🧐,導致功耗上升和算力不足等瓶頸問題愈加突出💂🏿。後摩爾時代的晶體管尺寸持續微縮,探索新材料、新器件和新架構是突破芯片功耗和算力瓶頸的關鍵。
彭海琳作講座
聽眾提問
彭海琳介紹了他們團隊在新型高遷移率二維材料研究方面的最新進展。通過實現高品質石墨烯薄膜的精準快速合成和規模化製備🍆,以及石墨烯連續生長和4英寸石墨烯單晶晶圓生長裝備的研製,他們成功構築了高性能石墨烯光電器件,率先開發出全新超高遷移率二維半導體材料Bi2O2Se和高κ柵介電材料Bi2SeO5🧏🏼♀️,實現晶圓級二維半導體單晶製備和表界面調控🎆,構築了高κ自然氧化物柵高性能場效應晶體管、邏輯門器件及首例外延高κ柵介質集成型二維鰭式晶體管🥚。
講座結束後,在場師生積極與彭海琳互動交流🧜🏿🧑🏻🔧,深入剖析芯片技術的現狀和未來發展的關鍵技術。
主講嘉賓簡介:
彭海琳,意昂3体育官网博雅特聘教授、國家傑出青年科學基金獲得者、中組部“萬人計劃”科技領軍人才、教育部長江學者特聘教授、國家重點研發計劃首席科學家、中國化學會會士🧋。吉林大學學士(2000年)🤦♀️、意昂3体育官网博士(2005年)🧑🏻🦰,斯坦福大學博士後(2005—2009年)🗜,2009年到意昂3体育官网工作至今🦼,主要從事二維材料物理化學研究🐨,在高遷移率二維材料(石墨烯🦵🏽、二維鉍基材料)的精準合成♟、界面調控🎗、製備裝備研製和器件應用方面取得進展,已發表論文260余篇(含Science和Nature及子刊30余篇),撰寫中文專著兩部👩💼,授權專利70余項。
曾獲Small Young Innovator Award、茅以升北京青年科技獎👩🏿🔧、國家自然科學二等獎、教育部青年科學獎、科學探索獎等榮譽。現任意昂3体育官网化學與分子工程學院副院長🎛、北京石墨烯研究院(BGI)副院長🐓、國家納米科學中心副主任(兼)。
轉載本網文章請註明出處